ITO薄膜的导电机制和特性

　　In2O3是直接跃迁宽禁带半导体资料，其晶体结构是立方铁锰矿结构。由于在In2O3构成过程中没有构成完好的理想化学配比结构，结晶结构中短少氧原子(氧空位) ，因此存在过剩的自在电子，表现出一定的电子导电性。同时，如果使用高价的阳离子如Sn掺杂在In2O3 晶格中代替In^3+的位置，则会添加自在导电电子的浓度，从而进步氧化铟的导电性。
 

　　在ITO薄膜中，Sn一般以Sn^2+或Sn^4+的方式存在，由于In在In2O3中是正三价，Sn^4+的存在将提供一个电子到导带，相反Sn^2+的存在将下降导带中电子的密度。别的，SnO自身呈暗褐色，对可见光的透过率较差。在低温沉积过程中，Sn在ITO中主要以SnO的方式存在，导致较低的载流子浓度和高的膜电阻。通过退火处理，一方面能促进SnO向SnO2转变，使薄膜进一步氧化，另一方面促进薄膜中多余的氧脱附，从而到达下降膜电阻，进步膜的可见光透过率的意图。